Tom IUNG commence sa thèse cifre au LENSIS, « Caractérisation du champ interne dans les matériaux ferroélectriques, application aux transistors  de type FeFET», dans le cadre d’une collaboration avec Mickael Gros-Jean (ST Microelectronics, Crolles). Les échantillons seront des capacitances de type « Front End », élaborés sur la ligne 300 mm à ST Crolles. Au LENSIS, Tom fera des études d’ XPS en laboratoire et HAXPES avec le rayonnement synchrotron. Dans un deuxième temps il fera des expériences operando en HAXPES et en PEEM.